processo PECVD

O processo PECVD, pode ser definido como reações químicas de vários componentes gasosos (átomos e/ou moléculas) que emergem a partir de uma descarga em plasma em baixa pressão e que ao colidirem com uma superfície promovem a formação de um filme (revestimento) sólido devido às reações químicas de superfícies. Já o processo do PVD (do Inglês – Physical Vapour Deposition) corresponde a uma deposição física de átomos, moléculas (reativos e não reativos) e aglomerados destes, em uma superfície, oriundos de diferentes processos de evaporação física. A diferença básica entres os dois processos, é que o PECVD forma filmes na superfície a partir de reações químicas dos gases precursores com átomos e moléculas que compõem a superfície, enquanto o processo PVD forma filmes por adsorção à superfície de átomos, moléculas e aglomerados destes.

O processo PECVD pode ser empregado para revestimento de superfícies em três dimensões em escala industrial com qualidade uniforme e boa taxa de deposição, o que é uma limitação do processo PVD. Os equipamentos utilizados com a tecnologia CVD são, também, de custos mais baixos, são bastante versáteis e de fácil operação possibilitando a mudança de composição dos elementos precursores do filme durante a deposição facilitando a obtenção de filmes híbridos e em forma de multicamadas.

Vale ressaltar as importantes vantagens do processo PECVD, ou como é conhecido, a Tecnologia CVD. Pode ser aplicada em todos os campos da nanociência e nanotecnologia, nos mais variados segmentos industriais, podendo ser depositados e metais  moles e duros, polímeros, etc., agregando mais valor aos produtos das indústrias e contribuindo mais significativamente para a transformação e evolução do mercado rumo às tecnologias mais avançadas, com produtos mais eficientes em desempenho e qualidade.

Todos os equipamentos utilizados pela CVDVale para deposição são projetados, construídos e testados pela equipe de engenharia da empresa e trata-se de uma tecnologia inovadora e 100% nacional.

• Filmes de alta qualidade (estrutural/eletrônica)

• Taxas de deposição comparáveis ou maiores que as técnicas de evaporação (sputtering, evaporação catódica, etc..)

• Controle de estequiometria relativamente fácil

• Facilidade de dopagem

• Produção em grandes áreas

• Simplicidade do sistema de bombeamento dos gases

• Objetos de forma complexa podem ser recobertos